IXTA3N120-TRL, МОП-транзистор IXTA3N120 TRL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTA3N120-TRL
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 2.500 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара