PHE13003C,412, Биполярные транзисторы - BJT Silicon diffused power transistor
Код товара: 10511312
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
15,21 руб.
Нет в наличии
Описание PHE13003C,412
| Технология | Si |
|---|---|
| Вес изделия | 217 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 |
Способы доставки в Калининград
Доставка PHE13003C,412 , Биполярные транзисторы - BJT Silicon diffused power transistor
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара