RW1A025APT2CR, МОП-транзистор 1.5V Drive Pch МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание RW1A025APT2CR
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Тип | Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | RW1A025AP |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET |
| Технология | Si |
| Высота | 0.65 mm |
| Длина | 1.7 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес изделия | 3 mg |
| Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
| Время нарастания | 40 ns |
| Время спада | 60 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
| Типичное время задержки выключения | 160 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара