FP25R12W1T7B11BPSA1, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Name: FP25R12W1T7B11BPSA1, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Brand: Infineon Technologies
SKU: 10509655
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Код товара: 10509655

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FP25R12W1T7B11BPSA1 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание FP25R12W1T7B11BPSA1

Технология	Si
Серия	Trenchstop IGBT7
Упаковка	Tray
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP EasyPIM
Вес изделия	24 g
ECCN	EAR99
Вид монтажа	Screw Mount
Упаковка / блок	AG-EASY1B-2
Конфигурация	PIM
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Продукт	IGBT Silicon Modules
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	25 A
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← AMPLA7050S-100MT 805F200E →