BC847PNQ-7R-F, Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Артикул:
BC847PNQ-7R-F
Производитель:
Описание BC847PNQ-7R-F
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 18 g |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара