IXTA08N100D2HV, МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-D2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTA08N100D2HV
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263HV-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Время нарастания | 57 ns |
| Время спада | 48 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 14.6 nC |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара