BSM300C12P3E301, Дискретные полупроводниковые модули SIC Pwr Module Chopper
Дискретные полупроводниковые модули SIC Pwr Module Chopper
Артикул:
BSM300C12P3E301
Производитель:
Описание BSM300C12P3E301
ECCN | EAR99 |
---|---|
Продукт | Power MOSFET Modules |
Тип | SiC Power Module |
Упаковка | Bulk |
Вид монтажа | Screw Mount |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Технология | SiC |
Pd - рассеивание мощности | 1360 W |
Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Конфигурация | Single |
Vf - прямое напряжение | 1.6 V |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
Id - непрерывный ток утечки | 300 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 22 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Время спада | 30 ns |
Время нарастания | 35 ns |
Типичное время задержки выключения | 170 ns |
Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара