IXFN52N100X, Дискретные полупроводниковые модули 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
Код товара: 10503215
Цена от:
8 609,69 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN52N100X
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Упаковка | Tube |
ECCN | EAR99 |
Серия | X-Class |
Вес изделия | 30 g |
Конфигурация | Single |
Время нарастания | 13 ns |
Время спада | 9 ns |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 830 W |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Типичное время задержки выключения | 107 ns |
Типичное время задержки при включении | 34 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN52N100X , Дискретные полупроводниковые модули 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара