DMN10H170SFG-7, МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
Код товара: 10501378
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
40,69 руб.
Нет в наличии
Описание DMN10H170SFG-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN10 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вес изделия | 72 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 122 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.4 S |
| Время спада | 3.4 ns |
| Время нарастания | 2.3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 13.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.4 ns |
| Qg - заряд затвора | 14.9 nC |
Способы доставки в Калининград
Доставка DMN10H170SFG-7 , МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара