DMMT5551S-7-F, Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание DMMT5551S-7-F
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMMT5551 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 30 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара