NVB150N65S3F, МОП-транзистор 650V FRFET,150M
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVB150N65S3F
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SuperFET3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.485 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 192 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара