BC846BW-G, Биполярные транзисторы - BJT 80B, 100mA
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BC846BW-G
| Серия | BC846 |
|---|---|
| Вес изделия | 5 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара