CSD25304W1015T, МОП-транзистор 20V P-Ch NexFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание CSD25304W1015T
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CSD25304W1015 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Вес изделия | 1.700 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 1.5 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Высота | 0.625 mm |
| Упаковка / блок | DSBGA-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 92 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Qg - заряд затвора | 3.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара