RGS50TSX2DHRC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH
Артикул:
RGS50TSX2DHRC11
Производитель:
Описание RGS50TSX2DHRC11
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка / блок | TO-247N-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 16 g |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 395 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара