SI2307BDS-T1-GE3, МОП-транзистор 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
Код товара: 10485578
Цена от:
42,96 руб.
Нет в наличии
Описание SI2307BDS-T1-GE3
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Серия | SI2 |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Вес изделия | 8 mg |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Длина | 2.9 mm |
Ширина | 1.6 mm |
Высота | 1.45 mm |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
Количество каналов | 1 Channel |
Технология | Si |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 78 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Qg - заряд затвора | 9 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Время спада | 14 ns |
Время нарастания | 12 ns |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SI2307BDS-T1-GE3 , МОП-транзистор 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара