BC858BW-G, Биполярные транзисторы - BJT -30, -.1
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BC858BW-G
| Серия | BC858 |
|---|---|
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара