SIR826DP-T1-GE3, МОП-транзистор 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
Код товара: 10484304
Цена от:
338,39 руб.
Нет в наличии
Описание SIR826DP-T1-GE3
Серия | SIR |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
Вес изделия | 506.600 mg |
Длина | 6.15 mm |
Ширина | 5.15 mm |
Высота | 1.04 mm |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Pd - рассеивание мощности | 104 W |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 8 ns |
Время нарастания | 11 ns |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIR826DP-T1-GE3 , МОП-транзистор 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара