PRMD10Z, Биполярные транзисторы - BJT PRMD10/SOT1268 DFN1412-6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PRMD10Z
| Упаковка / блок | DFN-1412-6 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 480 mW |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 230 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара