NTNS3190NZT5G, МОП-транзистор NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NTNS3190NZT5G
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | XLLGA-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 0.590 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 139 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 224 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 110 ns |
| Время нарастания | 35 ns |
| Типичное время задержки выключения | 201 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Qg - заряд затвора | 700 pC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 560 mS |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара