ZTX718, Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain
Описание ZTX718
Упаковка | Bulk |
---|---|
Серия | ZTX718 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Высота | 4.01 mm |
Длина | 4.77 mm |
Ширина | 2.41 mm |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 450 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 190 mV |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
Непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA, 2 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 35 at 4 A, 2 V, 15 at 6 A, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара