DMN3035LWN-7, МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
Код товара: 10478321
Цена от:
25,41 руб.
Нет в наличии
Описание DMN3035LWN-7
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | DMN3035 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 3 mm |
Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
Технология | Si |
Тип | Enhancement Mode MOSFET |
Ширина | 3 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 33 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | V-DFN3020-8 |
Количество каналов | 2 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms, 45 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 9.9 nC |
Pd - рассеивание мощности | 1.78 W |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Dual |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Время спада | 2 ns, 2 ns |
Время нарастания | 3.3 ns, 3.3 ns |
Типичное время задержки выключения | 10.6 ns, 10.6 ns |
Типичное время задержки при включении | 3 ns, 3 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка DMN3035LWN-7 , МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара