MRF13750HR5, РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor 750 W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor 750 W
Артикул:
MRF13750HR5
Производитель:
Описание MRF13750HR5
| Серия | MRF13750H |
|---|---|
| Вес изделия | 13.164 g |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Упаковка / блок | NI-1230H-4 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Рабочая частота | 700 MHz to 1300 MHz |
| Выходная мощность | 750 W |
| Pd - рассеивание мощности | 1333 W |
| Полярность транзистора | Dual N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 0.5 V, 105 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.8 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Усиление | 20.5 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара