2SCR553RTL, Биполярные транзисторы - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
Описание 2SCR553RTL
Технология | Si |
---|---|
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | TSMT-3 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара