APT27ZTR-G1, Биполярные транзисторы - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
Биполярные транзисторы - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
Артикул:
APT27ZTR-G1
Производитель:
Описание APT27ZTR-G1
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | APT27 |
Упаковка | Ammo Pack |
Вес изделия | 453.600 mg |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.6 A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 at 100 mA, 10 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 6 at 300 mA, 10 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара