SIHP17N80E-GE3, МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
Описание SIHP17N80E-GE3
Вес изделия | 1.800 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Tube |
Серия | E |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вид монтажа | Through Hole |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 208 W |
Время спада | 26 ns |
Время нарастания | 24 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 122 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 71 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара