MSD601-RT1G, Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V NPN

Код товара: 10472208

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MSD601-RT1G
Производитель:

Описание MSD601-RT1G

Упаковка / блокSC-59-3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
Длина2.9 mm
Ширина1.5 mm
Высота1.09 mm
СерияMSD601-R
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия8 mg
ECCNEAR99
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности200 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.340
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)210
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V

Способы доставки в Калининград

Доставка MSD601-RT1G , Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V NPN в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 635
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
Почта России
от 12 раб. дней
от 720
СДЭК
от 3 раб. дней
от 777
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.