SQ1563AEH-T1_GE3, МОП-транзистор N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQ1563AEH-T1_GE3
| Серия | SQ |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 850 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms, 500 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV, 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 930 pC, 1 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Время спада | 17 ns, 20 ns |
| Время нарастания | 21 ns, 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns, 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns, 2 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.6 S, 1.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара