VT6T11T2R, Биполярные транзисторы - BJT PNP+PNP -20VCEO-0.2A VMT6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание VT6T11T2R
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | VMT-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара