BCV61CE6327HTSA1, Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Артикул:
BCV61CE6327HTSA1
Производитель:
Описание BCV61CE6327HTSA1
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | BCV61 |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 11 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | SOT-143-4 |
Полярность транзистора | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Конфигурация | Dual |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара