2DB1132R-13, Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo

Код товара: 10469024

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2DB1132R-13
Производитель:

Описание 2DB1132R-13

ECCNEAR99
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Длина4.5 mm
Минимальная рабочая температура55 C
Серия2DB11
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия52 mg
Высота1.5 mm
Ширина2.48 mm
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-89-3
Pd - рассеивание мощности1000 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер125 mV
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)190 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180 at - 100 mA, - 3 V

Способы доставки в Калининград

Доставка 2DB1132R-13 , Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.