TPH8R80ANH.L1Q, МОП-транзистор N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
Артикул:
TPH8R80ANH.L1Q
Производитель:
Описание TPH8R80ANH.L1Q
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOP-Advance-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 5 mm |
| Серия | TPH8R80ANH |
| Ширина | 5 mm |
| Вес изделия | 851 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 61 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 59 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 33 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара