MMSTA56Q-7-F, Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Артикул:
MMSTA56Q-7-F
Производитель:
Описание MMSTA56Q-7-F
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара