STB35N65DM2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STB35N65DM2
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DM2 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 94 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара