TSM200N03DPQ33 RGG, МОП-транзистор 30V 20A Dual N-Chann el Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 30V 20A Dual N-Chann el Power МОП-транзистор
Артикул:
TSM200N03DPQ33 RGG
Производитель:
Описание TSM200N03DPQ33 RGG
| Упаковка / блок | PDFN-33-8 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 304.151 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 4.1 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | Dual N-Channel PowerMOSFET |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Время спада | 4.6 ns |
| Время нарастания | 7.2 ns |
| Типичное время задержки выключения | 15.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара