IXTF1R4N450, МОП-транзистор MSFT N-CH STD-VERY HI-VOLTAGE
Код товара: 10465320
Цена от:
15 862,49 руб.
Нет в наличии
Описание IXTF1R4N450
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | ISOPLUS-i4-PAK-3 |
Упаковка | Tube |
ECCN | EAR99 |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Вес изделия | 6 g |
Тип | High Voltage |
Конфигурация | Single |
Время нарастания | 60 ns |
Время спада | 170 ns |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 190 W |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4.5 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 Ohms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Типичное время задержки выключения | 126 ns |
Типичное время задержки при включении | 44 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTF1R4N450 , МОП-транзистор MSFT N-CH STD-VERY HI-VOLTAGE
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара