KSA916YTA, Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Transistor
Артикул:
KSA916YTA
Производитель:
Описание KSA916YTA
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | KSA916 |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Вес изделия | 371.100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 8 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара