SIB457EDK-T1-GE3, МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIB457EDK-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-75-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SIB |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес изделия | 96 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 13 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 1.9 us |
| Время нарастания | 0.9 us |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 3 us |
| Типичное время задержки при включении | 0.34 us |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара