NSVT65010MW6T1G, Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra
Код товара: 10458910
Цена от:
18,76 руб.
Нет в наличии
Описание NSVT65010MW6T1G
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 7.500 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Квалификация | AEC-Q101 |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Способы доставки в Калининград
Доставка NSVT65010MW6T1G , Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара