NSVMMBT6429LT1G, Биполярные транзисторы - BJT NPN Bipolar Trnsistr
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Bipolar Trnsistr
Артикул:
NSVMMBT6429LT1G
Производитель:
Описание NSVMMBT6429LT1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | MMBT6429L |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 55 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 700 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1250 at 100 uA, 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 at 100 uA, 5 VDC |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара