KSP43BU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Артикул:
KSP43BU
Производитель:
Описание KSP43BU
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | KSP43 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вес изделия | 179 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара