SIHB11N80E-GE3, МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHB11N80E-GE3
| Серия | E |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 179 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 440 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 S |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара