IPG20N06S4L11AATMA1, МОП-транзистор N-CHANNEL_55/60V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPG20N06S4L11AATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | OptiMOS-T2 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 100.420 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Dual |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Длина | 5.9 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.27 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Время нарастания | 3 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 53 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара