CMPT5551 TR PBFREE, Биполярные транзисторы - BJT NPN GP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание CMPT5551 TR PBFREE
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 8 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара