SSM6N16FUTE85LF, МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Артикул:
SSM6N16FUTE85LF
Производитель:
Описание SSM6N16FUTE85LF
| Серия | SSM6N16 |
|---|---|
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Конфигурация | Dual |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Технология | Si |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 70 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара