MMBT4126LT3G, Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 20V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 20V
Артикул:
MMBT4126LT3G
Производитель:
Описание MMBT4126LT3G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | MMBT4126LT1 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара