KSD882YSTU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Описание KSD882YSTU
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | KSD882 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 11 mm |
Длина | 8 mm |
Упаковка / блок | TO-126-3 |
Ширина | 3.25 mm |
Вес изделия | 761 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 10 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 90 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара