RGW80TS65GC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Код товара: 10446168
Цена от:
623,77 руб.
Нет в наличии
Описание RGW80TS65GC11
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247N-3 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка | Tube |
Pd - рассеивание мощности | 214 W |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 78 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 78 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка RGW80TS65GC11 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара