GS66506T-MR, МОП-транзистор 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

Код товара: 10445583

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
GS66506T-MR
Производитель:

Описание GS66506T-MR

Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокDIE
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
СерияGS665xx
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
ТехнологияGaN-on-Si
Чувствительный к влажностиYes
ECCNEAR99
Средства разработкиGS-EVB-AUD-xxx1-GS
Коммерческое обозначениеGaNPX
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток90 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Id - непрерывный ток утечки22.5 A
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 7 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Qg - заряд затвора4.5 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистораE-HEMT Power Transistor

Способы доставки в Калининград

Доставка GS66506T-MR , МОП-транзистор 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.