DMN3016LDN-7, МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
Код товара: 10440310
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
38,98 руб.
Нет в наличии
Описание DMN3016LDN-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | V-DFN3030-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN3016 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Время нарастания | 16.5 ns, 16.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 26.1 ns, 26.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns, 4.8 ns |
| Qg - заряд затвора | 25.1 nC, 25.1 nC |
Способы доставки в Калининград
Доставка DMN3016LDN-7 , МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара