RQ3E100ATTB, МОП-транзистор -30V P-CHANNEL -31A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание RQ3E100ATTB
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | HSMT-8 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Вес изделия | 123.267 mg |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 17 W |
| Время спада | 50 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Канальный режим | Enhancement |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара